1、MOSFET、IGBT、GaN的设计与开发：器件结构与工艺设计、新老产品性能优化与良率提升、器件测试与可靠性考核、跟踪客户整机应用测试、完成编写产品规格书；

2、与晶圆代工厂和封装代工厂日常对接：设计制定工艺流程和测试程序、设计流片实验方案与封装实验方案、完成编写封装规格书与芯片规格书；

3、专利与论文的编写：包括但不限于器件结构、制造工艺、封装结构、产品应用等，研究与分析国内外知名半导体功率器件公司的新技术、新产品、新封装与各类应用；

4、配合质量人员完成质量体系的建立与完善。

岗位要求：

1、年龄：25-42岁之间，性别不限；

2、学历及专业：本科及以上学历，微电子相关专业，硕士优先。

3、有2年以上的半导体功率器件设计公司或半导体晶圆代工厂TD/PIE工作经验，有产品设计与工艺整合经验；高压IGBT、coolmos、SIC mos、FRD研发经验。

4、熟悉MOSFET、IGBT、二三极管、宽禁带半导体理论基础；

5、能够使用英文读写，熟悉电子电路与整机应用者优先；

6、做事认真、细致，责任心强，有团队协作精神，善于挑战。